Vishay - MOSFETs
1,274 ResultsPart | Availability | Purchasing | RoHS/Lead | Technology | Mounting Style | Package / Case | Transistor Polarity | Number of Channels | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Channel Mode | Qualification | Tradename | Packaging |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0In Stock | Si | Through Hole | TO-220-3 | N-Channel | 1 Channel | 800 V | 6.5 A | 305 mOhms | - 30 V, 30 V | 4 V | 42 nC | - 55 C | + 150 C | 34 W | Enhancement | ||||||
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